250TPH河卵石機制砂生產線
由于當地天然砂石供應不足，該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求，看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機
2003年2月11日 大計算量. 關鍵詞：碳化硅,陷阱效應,金屬)半導體場效應晶體管,深能級陷阱,界面態 柵和漏電流的開態響應滯后,使頻率特性造成偏差,. 在穩態上表現為跨導及漏 度及狀態的描述會存在較大的偏差,一般采用脈沖. 測試方法從
2015年6月12日 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例, 充電和放電,此時柵極驅動電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。
【摘要】：本文主要研究應用于脈沖功率系統中的雙極型碳化硅半導體器件SiC BJT的快速驅動電路,文中脈沖功率研究的是在SiC BJT基極追求極高的電流上升
特基二極管進行測試,采用脈沖電子束感應電流法. （P*EBIC）直接得到碰撞離化倍增系數,排除了缺陷. 和邊緣效應對測量結果的影響［3］ . 這些實驗結果為. 碳化硅
2014年1月8日 從事過鋁合金超塑性、彌散增強鉑合金、非晶儲氫合金、6.5wt%硅鋼片制備新技術、脈沖電流燒結技術、SiC/Al復合材料制備技術、金屬基燃料電池雙
本測試臺主要針對碳化硅器件特性專門設計,可對被測器件進行浪涌電流試驗； 脈沖寬度8.3ms,浪涌電流可加到50A； 脈沖寬度10us,浪涌電流可加到200A；保證
首先,基于電流回路的概念,將各部分寄生電感歸為以下3類：主開關回路寄生電感LD,柵極 考慮寄生電感的SiC MOSFET雙脈沖測試電路原理圖如圖1所示,Q為SiC
2018年1月2日 摘要：對碳化硅雙極型晶體管（silicon carbide bipolar junction . 其中,IB(m)為理想情況下的電流脈沖峰值；ton 為晶體管的導通時間；QB 為基極
2018年1月5日 CPMB工作溫度范圍為55℃~175℃,其連續漏極電流可達36A,脈沖漏極電流達80A。相較于其他同類產品,CPMB具有
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構成的化合物半導體材料, 不僅絕緣擊穿場強是Si . 而且MOSFET 原理上不產生尾電流,所以用SiCMOSFET 替代IGBT 時,能夠明 . 分別搭成半橋電路,通過感性負載雙脈沖測試對開關波形進行比較。 400V.
2016年7月4日 和Si IGBT 的輸出特性、漏電流、開關特性和器件損耗進行了對比研究,分析了SiC 關鍵詞:碳化硅 輸出特性 漏電流 雙脈沖測試 Buck 電路.
與傳統的硅功率器件相比,寬禁帶功率半導體的性能要出色得多,碳化硅和氮化鎵是 . 在t3時刻,窄脈沖到來,電路中電流已達到一定值,所以可以有效測試氮化鎵
2016年1月29日 <br> 以脈沖電流的占空比為單因素變量,探究了脈沖電流占空比對鎂合金表面脈沖電沉積NiSiC復合鍍層的微觀形貌、成分及性能的影響,研究表明,
【摘要】：本文主要研究應用于脈沖功率系統中的雙極型碳化硅半導體器件SiC BJT的快速驅動電路,文中脈沖功率研究的是在SiC BJT基極追求極高的電流上升
碳化硅(SiC) 和氮化鎵(GaN) 等全新寬帶隙材料能夠支持大電壓和高切換速度,在新興 . 50 μs 超大電流快速. 脈沖測量. ?. 輕松且精確的(μΩ 分. 辨率) 導通電阻測量.
并采用雙脈沖實驗驗證所設計驅動電路的基本特性及確定門極電阻參數。 碳化硅（Silicon Carbride, SiC）是一種具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和漂移速度和高熱 . UDS保持截止時的高電平不變,電壓與電流產生重疊區域,MOSFET功耗。
2016年7月4日 和Si IGBT 的輸出特性、漏電流、開關特性和器件損耗進行了對比研究,分析了SiC 關鍵詞:碳化硅 輸出特性 漏電流 雙脈沖測試 Buck 電路.
摘要：采用超聲波輔助脈沖電沉積復合鍍技術在銅基表面制備Ｎｉ－ＳｉＣ納米復合鍍層 使用單脈沖電流,脈沖 Ｄ４０－ＺＦ電動攪拌調速器分散納米碳化硅粉；施鍍前要.
三菱電機的碳化硅功率器件的研發與搭載該器件的產品 有著優異特性的碳化硅 碳化硅的帶隙約為單質硅的三倍,即使在高溫時漏電流的增加也很少,可以確保高溫
2015年6月10日 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例, 充電和放電,此時柵極驅動電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構成的化合物半導體材料, 不僅絕緣擊穿場強是Si . 而且MOSFET 原理上不產生尾電流,所以用SiCMOSFET 替代IGBT 時,能夠明 . 分別搭成半橋電路,通過感性負載雙脈沖測試對開關波形進行比較。 400V.
2017年12月13日 碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應用于工業領域,受到大家的喜愛,不斷地 通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續的時間來評估
首先,基于電流回路的概念,將各部分寄生電感歸為以下3類：主開關回路寄生電感LD,柵極 考慮寄生電感的SiC MOSFET雙脈沖測試電路原理圖如圖1所示,Q為SiC
2015年6月12日 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例, 充電和放電,此時柵極驅動電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。
它們可以實現增加工作效率和更高的電流密度、. 頻率和溫度。 . 區別的是高溫下的低漏電流,因為這允許SiC 器 來限制脈沖持續時間——而這會導致更高的熱應.
我公司不僅僅源于過硬的產品和的解決方案設計，還必須擁有周到完善的售前、售后技術服務。因此，我們建設了近百人的技術工程師團隊，解決從項目咨詢、現場勘察、樣品分析到方案設計、安裝調試、指導維護等生產線建設項目過程中的系列問題，確保各個環節與客戶對接到位，及時解決客戶所需
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由于當地天然砂石供應不足，該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求，看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機