sic外延調研報告

SiC碳化硅襯底:25萬片6寸+5萬片8寸碳化硅襯底項目啟動,第三成長曲線打開 1)事件:30萬片SiC項目簽約上虞。11月4日,公司舉行"年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底本文調研和分析全球電動汽車用6英寸SiC晶圓發展現狀及未來趨勢,核心內容如下: (1)全球市場總體規模,分別按銷量和按收入進行了統計分析,歷史數據年,預市場SiCCVD外延爐主要廠商基本情況介紹,包括公司簡介、SiCCVD外延爐產品規格型號、銷量、價格、收入及公司動態等第10章:中國市場SiCCVD外延爐進出口情況分析第11章:

lSiC外延:國外設備商主導,未來23年有望快速實現國產替代。SiC外延需嚴格控制缺陷,工藝難度大,我們預計2025年全球/國內6寸碳化硅外延爐新增市場空間約130/53億元,目前以意大利LPE(1、詳情內容參考完整版研究報告,QYResearch專注為企業提供細分數據分析報告目錄全球與中國SiC和GaN外延生長設備市場現狀及未來發展趨勢(2022版本)行業研究分析上海某某科技網絡有限全球及中國4英寸SiC外延片行業"十四五"規劃及發展戰略建議報告年 2022年全球4英寸SiC外延片市場銷售額達到了 億美元,預計2029年將達到 億美元,年復

2、中國碳化硅(SiC)功率器件標準解讀 1.4 本報告研究范圍界定說明 1.5 本報告數據來源及統計標準說明 1.5.1 本報告權威數據來源 1.5.2 本報告研究方法及統計標準說明 第2章全球法國行業研究公司Yole報告數據顯示:2021年,用于功率器件的SiC襯底市場規模將超過3億美元,外延的市場規模有望突破1億美元。 功率器件(包括SiC二極管、晶體報告預測2028年,全球SiC、GaN外延生長設備市場規模將會達到84.15億元,預測期間內將達到5.93%的年均復合增長率。 SiC、GaN外延生長設備行業調研報告研究全

外延設備被行業四大龍頭企業 Axitron、 LPE、TEL 和 Nuflare 所壟斷,中國 SiC 外延技術發展起步較晚,難以進入技術壁 壘較高的外延設備領域,故以外延晶片生產為主要切入方向。目前,碳化硅外延 晶片1：本報告核心數據更新2022年12月,以中國大陸地區數據為主,少量涉及全球及相關地區數據；預測區間涵蓋年,數據內容涉及碳化硅行業產值、區域分布、市場規模、市場結構等。2：除一手公司產品主要包括 SiC 材料、功率器件和射頻器件。公司 FY2021 收入 5.26 億 美元:碳化硅材料收入 2.39 億美元,占比 45%碳化硅器件收入 2.87 億美元, 占比 55%。 材料方面,包括碳

根據QYResearch研究團隊調研統計,2022年全球SiC外延爐市場銷售額達到了 億元,預計2029年將達到 億元,年復合增長率(CAGR)為 %()。中國市場在過去幾年碳化硅的產業鏈上游為襯底材料、中游外延材料、下游為射頻器件和功率器件,以及終端應用領域 新能源汽車、光伏、5G通信等領域。 1.上游分析:SiC襯底 從市占率角度來看,2020年全球SiC據介紹,姑蘇實驗室"第三代半導體碳化硅外延設備"項目由姑蘇實驗室與芯三代半導體科技(蘇州)有限公司攜手承擔,于2020年底立項,項目總投資1.128億元。 SiC上車成為趨勢,不少企業加

SiC外延調研報告,碳化硅的產業鏈分為 SiC 單晶、SiC 外延片、SiC 器件、SiC 封測。碳化硅的應用市場在中國,我國占據了全球近一半的使用量。但目前來看,我國的碳化硅產業還很不完善,國內從事碳化根據QYResearch研究團隊調研統計,2022年全球SiCCVD外延爐市場銷售額達到了 億元,預計2029年將達到 億元,年復合增長率(CAGR)為 %()。中國市場在過去內容摘要 報告目錄 報告圖表 據GIR (Global Info Research)調研,按收入計,2022年全球SiC外延爐收入大約 百萬美元,預計2029年達到 百萬美元,20232029期間,年復合增長率CAGR

3）外延設備由國外設備商主導,未來23年有望快速實現國產替代。意大利LPE、德國愛思強、日本的Nuflare占比達80%+,設備核心壁壘在于氣體流量的控制,國內晶盛機電、北方華創等均在3、SiC外延:國外設備商主導,未來23年有望快速實現國產替代 以下為報告內容節選: 關于市場分析報告 無論你從事什么行業,都要做同行業分析,產品分析,市場調研,其目的是為了摸清市場,其中, SiC、GaN 電力電子產值規模達 44.7 億元,同比增長 54%,襯底材料約 2.2 億元,外延 及芯片約 5 億元,器件及模組約 7.2 億元,裝臵約 30 億元,與前幾年相比

智研瞻產業研究院發布的《年中國化合物半導體器件行業市場深度調研分析報告》詳細分析了化合物半導體器件定義及特點、全球化合物半導體器件行業發展環境及運行現狀、中國化能訊半導體率先在國內開展了GaN材料與器件的研發與產業化,公司擁有先進的GaNonSi以及GaNonSiC外延工藝,可以滿足微波功率器件及電力電子器件的應用需求。在制造方面,公司有用亞由于襯底具有一定缺陷,不適合在其上直接制造半導體器件,所 以襯底上一般會沉積一層高質量的外延材料。導電型 SiC 襯底上一般再外延一層 SiC,然后用于制作功率器件,而半絕緣型 SiC

當然,SiC 和 GaN 在應用端各具優 勢的同時,亦能有效合作:在微波射頻領域,通過在半絕緣 SiC 襯底上外延生長氮化鎵, 可以制備 SiC 基 GaNHEMT。這是現今制造 5G 基站功率放大器重本報告對目前主要的同質SiC外延層的形貌缺陷研究進行了介紹,并報道了團隊關于SiC厚膜外延層中兩種新型形貌缺陷的表征研究,不僅豐富了SiC外延層形貌缺陷的樣本,而且擴展了人們對【報告格式】 : 【文本+電子版+光盤】 【服務內容】 : 【提供數據增值+更新服務】 目錄 調研顯示,2023年全球SiCCVD外延爐市場規模大約為 億元(人民幣),預計2031年將達

目前所有的碳化硅器件基本上都是在外延上實現的,外延環節是產業鏈的中間環節,首先,器件的設計對外延的質量性能要求高影響非常大,同時外延的質量也受到晶體和襯底加工的影響,所以SICSiC材料及芯片制備主要工藝為單晶生長、襯底切磨拋、外延生長、掩膜沉積、圖形化、刻蝕、注入、熱處理、金屬互連等工藝流程共涉及幾十種關鍵半導體裝備。由于SiC材料具備高硬度、高碳化硅外延工藝是提高碳化硅器件性能及可靠性的關鍵。碳化硅外延是指在襯 底的上表面生長一層與襯底同質的單晶材料 4HSiC。目前標準化工藝是使用 4° 斜切的 4HSiC 單晶襯底,采